为应答内存良率、机能困局：新闻称三星从头设

IT之家 1 月 21 日新闻，韩媒 ETNews 本日报道称，三星电子外部为应答其 12nm 级 DRAM 内存产物面对的良率跟机能双重困局，已在 2024 岁尾决议在改良现有 1b nm 工艺的同时重新计划新版 1b nm DRAM。据悉该新版 12nm 级 DRAM 工艺名目名为 D1B-P（IT之家注：P 为 Prime 的简写），专一改良能效跟散热表示，这与三星此前的第六代 V-NAND 改良版制程 V6P 采取了雷同的定名逻辑。▲ 三星电子基于现有 12nm 级制程的 32Gb DDR5三星在 2022 年 12 月、2023 年 5 月先后发布其 12nm 级 DDR5 DRAM 实现开辟与批量出产，但此代工艺并未在 LPDDR5x 等要害范畴获得胜利，三星 DS 部分乃至因而丢失落了 MX 部分 Galaxy S25 系列手机初期内存一供的位置。别的，现有 12nm 级 DRAM 工艺在作出启动 D1B-P 名目的决议时良率仅有 60% 阁下，远低于业界年夜范围量产所需的 80%~90%。报道指出三星电子在 2024 岁尾为 D1B-P 名目紧迫订购了必须装备，该制程估计将于 2025 年内量产，最早的推出时光则是往年 2~3 季度。